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通入反应气体使用电感耦合等离孓体辉光放电将其***产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性氣体又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀 主要用于刻蚀Si基材料，SiSiO2，SiNx低温深Si刻蚀等，广泛应用于物理生物，化学材料，电子等领域 刻蚀均匀性：±5% （ 4英寸 ） 装片：一片4英寸，向下兼容任意规格样品 |
| 硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机(ICPRIE-180) |
| 北京物质和纳米科学大型仪器区域中心 |
| 英国牛津仪器EDX等离子技术公司 |