DDR和DDR2，DDR3的区别以及如何从外观上分辨出来(图文)
作者：佚名
字体：[ ] 来源：互联网 时间：06-21 10:54:02
内存现在有三种DDR,DDR2,DDR3.三种有什么不同呢.怎么从外观上来分辨呢.
1.防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.2、DDR内存的颗粒为长方形DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V&参数不同之处
电压 VDD/VDDQ
1.8V/1.8V(&0.1)
1.5V/1.5V(&0.075)
数据传输率(Mbps)
Memory Latency(ns)
1.5/2/2.5/3
预取设计(Bit)
逻辑Bank数量
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最近更新的内容DDR2是什么意思
DDR2是什么意思　　2/DDR II(Double D Rate 2)是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即：4bit数据读预取)。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。工作原理：　　DDR内存技术，使得内存能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，也就是一个时钟周期内传输两次数据，DDR2内存技术则延迟多1倍的时间，在二个时钟周期内传输四次数据，并且每条数据以4bit传输，也就是比DDR内存牺牲多一个时钟周期以4倍的速度运行。DDR2还引入了三项新的技术：　　O(Off-Chip Driver)：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉/下拉的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质。　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。使得ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
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