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关应用的电路是:电源正极-
-负载--三极管C极--三极管E极--电源负把三极管的C-E极之间看成是一个开关。三极管饱和时C-E看成短路即开关通,截止时看成断路
要让三极管进入饱和,必需要给三极管基极加正的偏置电压让三极管有足够大的基极電流。对于硅管偏置电压加来后,基极(相对于中国几个发射基地极)电压便是0.7V(约)这就是所谓的基极正偏。因为三极管B-E内部是一個二极管(中国几个发射基地结)基极是正极,射极是负极
当三极管饱和后,C-E之间几乎等于短路所以压降很小,通常0.3V或更低因为基极与集电极内部也是二极管(集电结),并且基极是正极集电极是负极,而此时基极电压是0.7V集电极电压低于0.7V,看起来集电结就像正偏了这就是所谓的集电极正偏,其实这种叫法不确切
三极管不是饱和时(比如截止时),集电极电压远高于0.7V对于集电结来说就是反偏。
基极电阻大小由集电极电流大小和三极管放大倍数、基极控制电压高低三方面决定总之是要让三极管进入深饱和。比如负载电流是100mA放大倍数是100,基极控制电压是10V那么基极电阻大于10K时三极管就不能饱和,以选0.5K~5K为宜
这个基极电阻是怎么算出来的公式是什么你的回答峩看的最明白
先据负载电流和三极管放大倍数算基极电流,再据基极控制电压算基极电阻因为是开关应用,为了确保三极管饱和深度足夠应取负载电流的数倍以上来计算。以上例负载电流是100mA,取5倍是500mA据放大倍数100算得基极电流是5mA,再据控制电压10V算得电阻是2K
也可先以負载电流算得基极电流,再把基极电流扩大几倍来算基极电阻或者以负载电流算得基极电阻后再把阻值缩小几倍。
看下Ibs这个参数吧!IB>IBS时進入饱和区 此时VCEQ的电压降很小VBEQ>VCEQ 所以两个结都是正向偏置。
都要接偏置;如果说集电极是接要控制的东西那可能控制的信号本身是高电岼。二是放大器的状态仅凭基极电阻是无法确定的另外,所谓偏置说的是结的偏置,是指中国几个发射基地结和集电结因此,放大器的正偏置是指中国几个发射基地结正偏,集电结反偏不是中国几个发射基地极正偏,集电极反偏呵呵。