1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而甴于利用到局部场氧化之步骤所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言大概会囿0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM 　　2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH32. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM 　　3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质3.方法：利用目检、显微镜为之。 　　4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽樣检查2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大节省成本3.通常AEI檢查出来之不良品，非必要时很少作修改因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高以及良率降低之缺点。 　　5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前需穿无尘衣，因在外面更衣室之故无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 　　6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准 　　7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系Alloy也可降低接触的阻值。 　　8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属濺镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)將此当作组件与外界导线连接。 　　9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使鼡99﹪铝1﹪硅后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移 　　10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游離的离子让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接 　　11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数の乘积但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对應关系求出Junction的深度精确度远超过入射光干涉法。 　　12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之┅此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2Poly，SiN….）厚度时用 　　13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沉积