从输入开始分析从静态开始分析。即先分析输入端开路时的情况
三极管VT1的偏置电路由R2和R3构成。因为VT1的发射极接地所以要先判断VT1的基极能否达到导通所需的0.7V。R2和R3的分壓结果是基极电压为0.278V所以三极管VT1静态工作时不导通。此时VT1的集电极基本接近于5V场效应管K1520的栅极高电压导通,线圈通电
输入端开路时VT1截止,而输入端为低电压时也是如此只是基极电压略有变化而已。所以不再分析输入为方波低电平时的情况
当输入高电平时,R2与R1并联而R1太小,并联结果基本相当于就是R1R1与R3的分压远大于0.7V,所以此时三极管是导通的发射节电压维持0.7V。此时R1两端电压为(5.0-0.7)V2a电流是多少瓦为84.3mA。R3两端为0.7V2a电流是多少瓦为0.7/3k=0.233mA。此时VT1的基极2a电流是多少瓦为84.3-0.233=84.067mA
三极管在导通时CE节的电压接近于0。而此时因为有R4的存在最大2a电流是多少瓦为5.0/10k=0.5mA。Ic/Ib<1所以VT1处于饱和导通状态。what ever反正当前K1520的栅极电压也接近于0了,就截止了此时线圈没电。
总的来说这个电路就是个驱动线圈工作的玩意。VT1在逻辑上起到的作用是反相对应数字电路里的非门。实际驱动线圈用得是N-MOS沟道场效应管可以达到较高的效率。
从模拟电路的角喥MOS管的栅极有电容存在,导致开关速度变慢而导致MOS管在开关过程中损耗更多的能量,发热严重所以在高功率驱动电路中,会在栅极加一级驱动这个电路里用的就是VT1三极管。这样可以提高MOS管的开关时间提高效率,同时可以让MOS管承受更大的工作2a电流是多少瓦
不过这個电路也有个明显的问题,从电路设计可见那个线圈功率应该是不小的而同时也没有设置续流二极管。MOS管用的2sk1520有内置续流二极管但原悝图上用的符号不对。不是直接在线圈上做续流仍然可能在开关过程中线圈产生的反向感生电动势干掉整个电路。
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