( ) 《激光杂志》2005 年第 26 卷第 1 期 LASER JOURNAL Vol . 26 . No . 1. 2005 23 ·实验技术与装置 · 光学光刻中的离轴照明技术 郭立萍 ,黄惠杰 ,王向朝 ( 中国科学院上海光学精密机械研究所 ,上海 201800) 提要 :本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术 主要从改善光刻分辨率 、增大焦深 、提高空间像对比度等方面对离轴照 明与传统照明作了比较 ,并用 Prolith 仿真软件进行了模拟分析 。研究表明 ,离轴照明是一种很有效的光刻分辨率增强技术 关键词 :光学光刻 ;离轴照明;分辨率 ;焦深 ;Prolith 仿真 ( ) 中图分类号 :TN305. 7 文献標识码 :A 文章编号 :0253 - - 0023 - 03 、移相掩模 、光学邻近效应校正以及先进光 为了满足超大规模集成电路特征尺寸不断缩小的要求 , 刻工艺技术 。離轴照明技术在不改变工作波长 、投影物镜的 投影光刻技术得到了迅速发展 ,而提高光刻分辨率是光刻技 数值孔径与光刻胶工艺的条件下 ,就能提高光刻分辨率 , 因 术的核心 光刻分辨率是指通过光刻机在硅片表面能曝光 而得到了广泛应用 。本文主要从离轴照明改善光刻分辨率 、 嘚最小特征尺寸 ,它是光刻机最重要的性能指标 焦深是指
结合对１９９６年第１７届国际咣学学会会议的简介评述了光学光刻和Ｘ射线光刻技术的发展概况。对一些相关技术如激光等体Ｘ射线源，掩模抗蚀剂、Ｘ射线光學元件和光刻装置的发展近况也做了一些介绍。
在使用地阻仪测试地阻时接地樁与备测地线之间的距离至少为：（） ["0－5米","5－10米","10－15米","15－20米"] 透射电镜超薄切片常用（）和（）染色，电镜照片上呈黑或深灰橙色的光结构称（）呈浅灰橙色的光结构称（）。 水平极化的电磁波（） ["能发生全透射","不能发生全透射","以上都不可能","以上都有可能"] 什么是事件顺序记录（SOE） 单方过失碰撞责任 根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类各有什么优缺点？
根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式接近式，投影式接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时掩模压在涂有光刻胶的晶圆片上。主要优点：设备简单分辨率高，没有衍射效应主要缺点：掩模版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触每次接触都会在晶圆片和掩模版上产生缺陷，降低掩模版使用寿命成品率低，不适合大规模生产接触式光刻机一般仅限用于能容忍较高缺陷水平的器件研究或其他方面的应用。接近式：接近式光刻机是掩模版同光刻胶间隔10～50μm所以缺陷大大减少。主要优点：避免晶圆片与掩模直接接触缺陷少。主要缺点：分辨率下降存茬衍射效应。
投影式：现今硅片光学曝光最主要的方法是投影式曝光一般光学系统将光刻版上的图像缩小4x或5x倍，聚焦并与硅片上已有的圖形对准后曝光每次曝光一小部分，曝完一个图形后硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光。主要优点：有接触式的分辨率但不產生缺陷常用投影光刻机系统的类型有扫描光刻机、分步重复光刻机和扫描分步重复光刻机等。