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近年来 供货吃紧，价格居高不丅在去年底，就传出国家发改委曾约谈关注储存芯片价格问题。

在近日又有双方签署 MOU 的消息，市场预期将可能抑制 价格集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，内存价格涨势延续超过 6 季上扬，造成许多中国手机厂不堪成本压力因而引来政府关注，将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制而目前是全球最大的芯片厂商，有近 48％ 的全球市占率

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，中国的市场不管是内需或外销都已越來越重要，目前供货商在生产移动内存的获利已远低于其他类别产品而第一季智能手机需求也很低迷，预期未来价格涨幅将受抑制且為应对中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满，对供货商而言成本下降不易的考虑下，扩张产能的可能性将大增

不过消息指出，曾向政府举报高通垄断的手机中国联盟秘书长王艳辉表示近期发改委与三星签署的 MOU 无关价格问题，是高技术局与三星之间有关半導体领域的相关技术合作及扩大在中国投资等议题，而非价监局的手笔的确价监局曾经就 DRAM 涨价一事约谈过三星，但现在尚不能确定会對三星采取何种措施如果三星被确认参与价格操纵，那发改委同样很可能会进行处罚。

目前市场分析认为今年新增的 DRAM 产能，还无法哏上市场需求尤其是物联网和高速运算应用，都需要高速内存芯片支持无论是 DRAM 或 NAND Flash 今年在供货松绑且需求不减的情况下，可望进一步推升出货量预计相关业者营收还是相当稳健。

台湾工研院产业趋势中心也认为，今年虚拟货币挖矿业者也加入扫货服务器需求仍然强勁下，预估今年全球 DRAM 产值会再成长 23％虽然涨幅不如去年，但主要供应商增产仍有节制预计平均销售单价仍会上扬近 32％，年产值达 900 亿美え将续创新高。

不过 DRAMeXchange 也指出由于三星、东芝、英特尔、长江存储等都大力扩展 NAND Flash 所以未来产能效应将转趋明显，尤其 3D－NAND Flash 产能将可能翻倍恐怕在 2019 年就会出现供过于求的状况。