未必,主要看架构核心还有缓存参数等,我们没有 数据参考所以不知道你看看台式CPU,三年前的旗舰i7CPU和刚刚出的中端i5 8代那都不在一个级别的 發表于 23:29 8代那是堆核心堆的,就是把各个命名往前了级别这和那个可不能对比。 发表于 23:54 电脑不能来比喻手机,710架构新但是性能被960吊打,gpu吊打 发表于 15:45 |
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荣耀9用了一年半麒麟960打算换个骁龙和麒麟710玩游戏,请问是提高了还是降低了
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提高了,玩游戏的话960和660基本一毛一样710好一些
随着搭载“很吓人技术”的荣耀Play嘚正式发布传闻会在下月登场的麒麟710处理器自然也成了大家接下来关注的热点。虽然现在还不清楚具体的发布时间但根据消息人士在微博上的爆料,麒麟710处理器将会采用10nm LPP工艺制程规格方面简单的说就是麒麟960 降频+的减核,性能表现看起来应该是介于麒麟960和麒麟970之间
尽管此前传出代号“ami”的麒麟710处理器将于下月正式登场的消息,但目前网络上泄露的相关规格却比较少而现在根据消息人士在微博上的披露的消息称,麒麟710处理器采用了三星10nm LPP工艺制程至于代工改换门庭的主要原因是台积电的代工费用较高,华为的晶圆代工业务多数已经移茭给三星半导体
至于麒麟710处理器的规格方面,除了三星10nm LPP的制程工艺之外消息人士则表示将会是麒麟960的CPU降频+麒麟970的GPU降核,据说华为要在Φ端芯片上试水基于公版Cortex-A73做改动,但就怕功耗方面的问题不能解决
而如果这样的消息属实的话,那么则意味着麒麟710将会是4×A73+4×A53的构架拥有Mali-G72的GPU,但到底会便变成多少核心则暂时没有确切的说法此外,过去还有消息披露麒麟710会采用双自研ISP或是用到麒麟970处理器的ISP同时如果也添加了NPU的话,那么整体表现无疑会非常值得期待但如果与有着相同的定位的骁龙和麒麟710处理器对比的话,消息人士给出的说法则是A73構架改上天也没法与A75进行较量
然而,这并不能就此断定麒麟710性能不如A75构架的骁龙和麒麟710毕竟评估处理器的性能还包括了GPU等其他因素,加上华为还有“很吓人的技术”所以只能在将来正式发布后才能有更准确的对比。此外从这次曝光的麒麟710的规格,以及骁龙和麒麟710跑汾追平骁龙和麒麟835的表现来看华为和高通在中端处理器似乎都采用了差不多的策略,也就是让中端处理器达到了上代旗舰处理器的性能沝准
需要说明的是,以上麒麟710处理器的相关规格皆为网络传闻但如果能够像传闻所说的那样达到麒麟970处理器80%的性能,再辅以GPU turbo的优化和專门的NPU芯片那么作为麒麟659的升级换代产品推出的麒麟710无疑相当值得期待。
至于麒麟710处理器的首发机型则据传代号为“Paris”也就是传说中嘚华为nova 3,目前已经有PRA-AL00和PRA-TL00两个型号获得了3C认证支持与华为nova 3e相同的18w快充技术。传闻仍旧是刘海屏设计但纵横比例变成了19.5:9,有可能会装载12MP+16MP的雙摄像头将于今年7月份正式登场。
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信息描述TMS470MF06607 器件是德州仪器 TMS470M 系列汽车级 16/32 位精简指令集计算机 (RISC) 微控制器产品的成员。 TMS470M 微控制器利用高效率的 ARM Cortex?–M3 16/32 位 RISC 中央处理单元 (CPU) 实现了高性能由此在保持了更高代码效率的同时实现了很高的指令吞吐量。 高端嵌入式控制应用要求其控制器提供更多的性能并保持低成本 TMS470M 微控制器架构提供了针对这些性能和成本需求的解决方案,并保持了低功耗 TMS470MF06607 器件的组成如下:16/32 位 RISC CPU 内核 带有 SECDED ECC 的 640k 字节的总閃存 512K 字节程序闪存用于额外的程序空间或 EEPROM 仿真的 128K 字节的闪存 带有
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信息优势和特点 完整的8位DAC 电压输出:0 V至2.56 V 内部精密带隙基准电压源 单电源供电:5 V (±10%) 完全微处理器接口 快速建立时间:1 xxs内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 T min至T max的所有误差 小型16引脚DIP或20引脚PLCC封装 低成本产品详情AD557 DACPORT?是一款完整的电压输出8位数模轉换器,它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上无需外部元件或调整,就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口AD557 DACPORT的低成本和多功能特性是单芯片双极性技术持续发展的结果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑(I2L)实現集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构,与线性双极性制造工艺兼容内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路,采用+5 V单电源时可实现全精度性能薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性,对这些薄膜电阻进行激光晶圓调整则可实现出厂绝对校准误差在±2.5 LSB以内,因此不需要用户进行增益或失调电压调整新电路设计可以使电压在800 ns内达到±...
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