RAM/ROM傻傻分不清，其实区别大发了-嵌入式系统-与非网
正是因为3D NAND技术的提出和普及，现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备，而在相同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握，三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D NAND堆叠，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂，可是就现在的情况来看，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D NAND，和业界巨头来比还相去甚远。
eMMC传输协议已近黄昏，三星、苹果为了新标准互不相让
除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一，想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类，一是传统的eMMC，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行标准封装，形成一个高度集成的储存模块。有点像手机中的SoC，将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上，简化了产品研发的流程。不过这三种标准更多的只是在接口和数据传输协议上的标准，在存储介质上，都是使用的NAND闪存。
eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准，通俗的来说，eMMC=NAND闪存 闪存控制芯片 标准接口封装，UFS和NVMe也都是如此，不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从eMMC4.3一路发展到4.4、4.5直到现在的5.0，传输速度也从50MB/S一路狂飙到200MB/S直到现在eMMC5.0的400MB/S，再往后还有eMMC5.1高达600MB/S的传输速度。
不过用三星的话来说，eMMC标准的潜力已经被榨干了，UFS标准才是未来。eMMC在一段时间里只能够读取或者写入一种状态，而UFS2.0支持同时读写数据，并且在传输速度上可以达到780MB/S。在功耗方面，虽然在满载工作时功耗比eMMC高，但是待机状态下却低得多。现在使用了UFS2.0的手机已经很多了，使用了高通骁龙821、820和三星Exynos 8890等处理器的手机都已经支持UFS 2.0。
不过苹果一向在硬件上爱默默地堆料，使用了NVMe协议的iPhone6s和iPhone7读写速度都达到了三星S7的2倍以上，所以说iPhone的流畅不仅仅是系统的问题，在硬件上，苹果可一直都是领先安卓阵营的。不过据说在随机读写速度这一项上，UFS2.0的表现要优于NVMe，这代表着在日常复杂的使用环境中，UFS是有优势的。并且据说三星即将推出UFS2.1标准，读写速度可以达到让人咋舌的1.5GB/S。
近期就有传言称华为将要发布的麒麟960处理器就将支持UFS2.1，而作为三星自家的标准，也有很有可能出现在三星的手机中，不知道最后谁能够成为第一个在存储速度上打败iPhone的手机厂家。
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