怎样看外表辨别内存条的大小
怎样看外表辨别内存条的大小（转载）
怎样看外表辨别内存条的大小 22:22怎样看外表辨别内存条的大小
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所
以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更
关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位----芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位----芯片类型4，代表DRAM。
第3位----芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位----容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63
、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容
量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位----数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位----连线“-”。
第14、15位----芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2)
；80为 8ns
；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR
内存，使用18片SAMSUNG
K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，
第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）
& 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，
文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一
种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位
错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条
实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来
说明美光内存的编码规则。
MT----Micron的厂商名称。
48----内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC----供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8----内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）&8位数据宽度。
A2----内存内核版本号。
TG----封装方式，TG即TSOP封装。
-75----内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每
个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M &4bit &16 片/ 8=256MB（兆字节）。
西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为
256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每
个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S8MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它
也是如此，如：HYB39S8MB/8bits；HYB39S8MB/16bits；HYB39S256800即
256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5----表示该内存的工作频率是133MHz；
-8----表示该内存的工作频率是100MHz。
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S.5的内存颗粒生产。其容量计算为：
128Mbits（兆数位）&16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S.5的内存颗粒生产。其容量计算为：
（兆数位） & 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid
array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看
到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits
。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A----64Mbits，16M地址空间 & 4位数据宽度；
KSV884T4A0A----64Mbits，8M地址空间 & 8位数据宽度；
KSV244T4XXX----128Mbits，32M地址空间 & 4位数据宽度；
KSV684T4XXX----128Mbits，16M地址空间 & 8位数据宽度；
KSV864T4XXX----128Mbits，8M 地址空间 & 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A----PC133 /CL=2；
-7----PC133 /CL=3；
-8A----PC100/ CL=2；
-8----PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：
64Mbits（兆数位
）&16片/8=128MB（兆字节）。
HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY
5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，
V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K
Ref，65=64Mbits、
4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K
Ref，257=256Mbits、8K
Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片
内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL
〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）
；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil
，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns
〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh
cycles/64ms，8
是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil
TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100
DDR3内存实物赏析
　　威刚科技的DDR3 1066MHz
1G内存，其序列号为M3OEL2GB5Z，频率为1066MHz，容易为1GB。
威刚DDR3 1066MHz 1G内存
威刚DDR3 1066MHz 1G内存
　　从外观上去看，DDR3内存与我们平时熟悉的DDR2没有太大的改变，如果没有特别留意的话不容易从外观上区分开来。下面我们来看一看DDR3内存与DDR2内存在外观设计上有什么不同之处。
金手指缺口位置
DDR/DDR2/DDR3内存三代同堂
　　首先是金手指缺口位置作了更改，金手指方面，SDRAM时代是两个缺口位置，升代至DDR时就改成了一们缺口位置，这个缺口位置最大的作用就是避免内存不会插错方向。从上图可以看到，DDR内存金手指离内存端最近的距离为59.21mm，占整个长度约45%左右，到了DDR2时，这个长度改为61.86mm，约占整个长度47%（由于接近50%的比例让不少不太细心的用户容易把内存方向搞错）；而DDR3的缺口位置肯定要与DDR和DDR2不同，好在DDR3的缺口位置比例远离50%，53.88mm的距离仅占整个长度约41%，用户可以较明显地区分出内存的方向来。
DDR1与DDR2的不同 06:39DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这
主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使
用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处
理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存
可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，
因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针
；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2）
SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术
标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据
传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话
说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装
形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供
了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的
双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度
；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率
的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于
标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时
进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样
100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来
说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR
同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是
100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、
更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长
的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频
率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA
封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发
热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR
通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜
来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需
要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样
的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低
；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹
配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以
保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能
够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原
来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive
Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突
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以上网友发言只代表其个人观点，不代表新浪网的观点或立场。内存条单面和双面的有什么区别吗
　　什么是单面和双面内存?它们有些什么样的特性与区别呢?下面咱们就细细道来。何谓内存BANK　　一般而言，各位注意了，是一般而言，单面内存每条拥有一组BANK，而双面的内存则每条提供了两组的BANK，之所以要强调一般而言我会在文中加以阐明。&&什么?不知道BANK为何物?好!那我就来解释一下BANK先。 内存的BANK其实分为两部分，逻辑BANK和物理BANK。　　先来讲讲逻辑BANK。芯片的内部，内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中，每个单元格我们称为CELL，只要指定一个行(Row)，再指定一个列(Column)，就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这样的一个阵列我们就叫它内存的逻辑BANK(Logical BANK)。　　再来说说物理BANK。通常主板上的每个分为两段，这个大家从VIA主板设置中的BANK 0/1 DRAM Timing选项很容易推理得到，实际上也就是两个BANK，不过这里的BANK概念与我们前面分析芯片内部结构时提到的BANK可不一样。　　简单地说这个BANK就是内存和主板上的之间用来交换数据的通道，目前以系统为例，CPU与内存之间(就是CPU到槽)的接口位宽是64bit，也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK，很多厂家的产品说明里称之为物理BANK(Physical BANK)。　　目前绝大多数的芯片组都只能支持一根内存包含两个物理BANK，但是针对某个具体的条子，很多人想当然，认为每个DIMM插槽使用内存条的面数来区分占用几个BANK通道，单面的(16M，64M)只占用一个物理BANK，而双面的(32M，128M)则需占用两个物理BANK。实际上物理BANK与面数是无关的，PCB电路可以设计成双面和单面，也可把全部芯片(16颗)放在一面上(至少从理论上是完全可能)。　　有些内存条单面就是一个物理BANK，但有些双面才是一个物理BANK，所以不能一概而论。256MB内存条就是一个典型的例子，虽然是双面并多达16枚芯片，但仍然是单个物理BANK的。要准确知道内存条实际物理BANK数量，我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK，如果是128就是双物理BANK。CPU工作时与BANK的关系　　CPU工作时，每次只访问一个物理BANK，这是因为一个物理BANK的位宽是64Bit。CPU访问的数据是存放在内存条的上的，现在的芯片组设计时都是要求内存条上每个芯片均承担提供数据的任务，即内存条上的每个颗粒都要负担这64bit数据的一部分。　　这就要牵扯到我们上文所说得位宽的问题了，如果内存芯片的位宽是8位，那么用这个芯片组成内存条只需要8颗芯片即完成了64位数据并发任务，如果是4位，那么就需要16颗芯片才能达到64bit的要求。当内存条颗粒设计为位宽为8位，16颗内存颗粒的时候，内存条的位宽就变为6 x 16=128bit。所以就要设计为双BANK。这是由于CPU一次只能处理64bit的数据所造成的。　　以后随着技术的进步，128bit,256bit都是可以实现的。以上就是所谓的逻辑BANK和物理BANK。 虽然这些区别不是很大，但是却往往造成不小的问题，让人头痛。举一个较古老的例子：曾经有一款大度256M内存采用单面了设计，仅有一组物理BANK。但是由于INTEL(Intel440BX，i815)芯片组只能正确识别单物理BANK最高容量为128M，这种情况造成大部分INTEL主板就无法完全使用大度256M内存的全部容量，只可以使用一半128M。　　事实上很多类似的大容量内存不能为一些旧型号主板支持的主要原因就是芯片组对内存芯片的逻辑BANK数据深度有一定限制。我们知道芯片的容量主要由三个参数决定，首先是逻辑BANK的单元格数(数据深度)，其次是逻辑BANK的位数。最后是逻辑BANK的个数。三者相乘得到芯片的容量。　　大度内存256MB之所以不能在440BX上用，就是由于BX芯片组只支持内存芯片的数据深度为4M，而不是8M，所以大度条子的内存芯片在BX板上被识别成4&4&4=64Mbit(8MB)，而不是本来的8&4&4=128Mbit(16MB)，现在很多大容量的内存没有在BANK数和位宽上提高多少，基本都是增加芯片的数据深度，而这是需要芯片组支持的，象INTEL的LX/BX/810/815等老主板都只能支持最大4M，所以出问题再所难免。单、双面内存孰好孰坏　　那这是不是意味着单面内存不好呢?***是否定的，上述问题的罪魁祸首应该是INTEL芯片的SDRAM识别技术，VIA、ALI、SIS大部分芯片的主板就没有问题。不过现在内存厂商考虑兼容性的问题，已经不生产单面256M的产品了，所以用户一般不用考虑此环节。　　另外如果在INTEL815芯片组的主板(如ASUS CUSL2)上插三条现代双面128M的内存，系统就会自动把内存的时钟频率降到PC100来使用，而且使用过程中很不稳定，经常死机。出现这种情况是因为，INTEL815E芯片虽然有三个DIMM槽，但最多同时支持4组Bank运行在PC133状态下，如果超过四组就会自动降至PC100。所以上述问题如果换用三条单面128M的内存就迎刃而解。　　我们再以kingmax为例。对比KingMax PC150 128M两个版本的产品(MPGA83S-68KX3 单面128M和MPGA83S-88KX3 双面128M)，从外形上不难发现，凡1.0版的内存采用的都是16M&8，即单面八片结构的，而1.2版本的则是8MB&8即双面十六片结构。MPGA83S-68KX3　　其实说了半天，也不是说单面内存就一定比双面内存好，或者一定要在两者之间区分伯仲。单、双面内存它们的本身没有好坏，区别也很小，只不过看哪种封装被主板芯片组支持的更好罢了。不可否认的一点是，同等容量的内存，单面比双面的集成度要高，生产日期要靠后，所以工作起来就更稳定。　　但是升级内存的用户请注意，一定要尽量保证升级前后，内存单、双面的统一性，这样可以最大程度的保证你系统的稳定。同时，对于广大想要对老主板升级的用户来说，分清楚自己主板所支持的范围是最重要的，当然喽，有些问题我们也可以通过升级新的主板bios达到支持的目的，但是这样做的可操作性就不是很强了，要因人而异，因板而异了。
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