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型号：SPD06N60C3
制造商：Infineon Technologies
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：剪切带 (CT)说明：MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：CoolMOS??
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25& C 时）：6.2A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 260μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
***类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
产品目录页面：1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：SPD06N60C3INCT
***：086-21-65
地址：上海市黄埔区北京东路668号科技京城西楼
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***：086-755-/93653
地址：1PCS起订 百万库存深圳龙华龙胜西路佳利科技大厦603
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