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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-ModulesFP40R12KE3GElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesH?chstzul?ssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rückw. Spitzensperrspannungrepetitive peak reverse voltageGleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrommaximum RMS current at Rectifier outputDurchlassstrom Grenzeffektivwert proChipForward current RMS maximum per ChipStossstrom Grenzwertsurge forward currentGrenzlastintegralI t - value2Tvj= 25°CTC= 80°CTC= 80°CtP= 10 ms, Tvj=tP= 10 ms, Tvj=25°C25°CVRRMIRMSmaxIFRMSMIFSMIt216007550315260500340VAAAAA2sA2stP= 10 ms, Tvj= 150°CtP= 10 ms, Tvj= 150°CTransistor Wechselrichter/ Transistor InverterKollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageKollektor-DauergleichstromDC-collector currentPeriodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector currentGesamt-Verlustleistungtotal power dissipationGate-Emitter-Spitzenspannunggate-emitter peak voltageDiode Wechselrichter/ Diode InverterDauergleichstromDC forward currentPeriodischer Spitzenstromrepetitive peak forw. currentGrenzlastintegralI2t - valuetP= 1 msVR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°CIFIFRM2ItTvj= 25°CTc = 80 °CTC= 25 °CtP= 1 ms,TC= 25°CTC= 80 °CVCESIC,nom.ICICRMPtotVGES1200405580200+/- 20VVAAAWV4080320AAA2sTransistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-ChopperKollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageKollektor-DauergleichstromDC-collector currentPeriodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector currentGesamt-Verlustleistungtotal power dissipationGate-Emitter-Spitzenspannunggate-emitter peak voltageDiode Brems-Chopper/ Diode Brake-ChopperDauergleichstromDC forward currentPeriodischer Spitzenstromrepetitive peak forw. currentprepared by: Andreas Schulzapproved by: Robert SeverintP= 1 msIFIFRM1530AATvj= 25°CTC= 80 °CTC= 25 °CtP= 1 ms, TC= 80°CTC= 25°CVCESIC,nom.ICICRMPtotVGES1200405580200+/- 20VVAAAWVdate of publication:23.04.2002revision: 21(11)DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls

参考资料

 

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