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APT17F120J，VI-910365，BatPAC&功率模块 电源模块& 可控硅/IGBT模块上海代理商上海瑞天自动化设备有限公司销售*** ：***：021-/手机：（微信）联系人：刘明泽传真号码：021-商务QQ: 邮箱E-mail:PDT1008 PDT15012 PDT15012A PDT15016 PDT15016A PDT1508 PDT3 170M5 170M7 170M9IRFK2D350 IRFK2D450 IRFK2DC50 IRFK2DE50 IRFK2F054 IRFK2F150 IRFK2F250DIM400NSM33-F DIM400PBM17-A DIM400PHM17-A DIM400WHS12-A DIM400WHS12-E DIM400WHS17-A DIM400WHS17-E　　由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和故障诊断电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。1.?在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要
先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；??
2.?在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；??3.?尽量在底板良好接地的情况下操作。?
????在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。?????此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。?
????在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。?
????在***或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部***有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方***有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。?4?保管时的注意事项?
1.?一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为
5～35℃?，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;??
2.?尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；??
3.?在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块
应放在温度变化较小的地方；??
4.?保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；??5.?装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。?VI-2TR-CZ VI-2TR-EU VI-2TR-EV VI-2TR-EW VI-2TR-EX VI-2TR-EY VI-2TR-EZVI-27B-EY VI-27B-EZ VI-27B-IU VI-27B-IV VI-27B-IW VI-27B-IX VI-27B-IYVI-22V-EU VI-22V-EV VI-22V-EW VI-22V-EX VI-22V-EY VI-22V-EZ VI-22V-IU7MBR75SA060 7MBR75SB060 7MBR75SD060 7MBR75U2B060 7MBR75U4B120 7MBR75UB120 80CNQ035VI-B1L-IW VI-B1M-CU VI-B1M-CV VI-B1M-CW VI-B1M-EU VI-B1M-EV VI-B1M-EW　　6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。VI-231-CX VI-231-CY VI-231-CZ VI-231-EU VI-231-EV VI-231-EW VI-231-EXDFM1200EXS18-A DFM1200FXM12-A DFM1200FXM18-A DFM1200FXS12-A DFM1200FXS18-A DFM1200NXM33-A DFM200PXM33-AW W W W W W W　　电容，并配置在IGBT附近，使其吸收高频浪涌电压。　　由于IGBT高频性能的改进，可将驱动电路、保护电路和故障诊断电路集成在一起，制成智能功率模块，一般情况下采用电压触发。A70Q500-4 A70Q600-4 A70QS250-4 A70QS300-4 A70QS350-4 A70QS400-4 A70QS450-4VI-243-EW VI-243-EX VI-243-EY VI-243-EZ VI-243-IU VI-243-IV VI-243-IW　　(1)通常驱动电路必须提供正栅压+15V，关断负栅压-15～-5V;VI-J61-CZ VI-J61-EW VI-J61-EX VI-J61-EY VI-J61-EZ VI-J61-IW VI-J61-IXCN611416A CN611416B CN611616A CN611616B CN611816B CN612016B CN612216B　　元器件电压规格　　(2)栅极驱动电路必须能够传送一个与总的栅极电荷乘以开关频率相等的平均电流，它也必须能够传送峰值电流。IRFK2D350 IRFK2D450 IRFK2DC50 IRFK2DE50 IRFK2F054 IRFK2F150 IRFK2F250FS75R12KT3 FS75R12KT3G FSE300F1 FSM30X6S FSM50X6S FST100Z2 FST150Z2VI-232-IV VI-232-IW VI-232-IX VI-232-IY VI-232-IZ VI-233-CU VI-233-CV　　· 提高系统结构设计的灵活性和扩展性，可实现逆变器扩容DSEC240-06A DSEI2X101-06A DSEI2X101-12A DSEI2X121-02A DSEI2X30-04C DSEI2X30-06C DSEI2X30-10BVI-21L-CU VI-21L-CV VI-21L-CW VI-21L-CX VI-21L-CY VI-21L-CZ VI-21L-EUVI-JW0-IX VI-JW0-IY VI-JW0-IZ VI-JW1-CW VI-JW1-CX VI-JW1-CY VI-JW1-CZ2FI100F-060C 2FI100F-060D 2FI100F-060N 2FI100G-100C 2FI100G-100D 2FI100G-100N 2FI200A-060CQM80DY-3H QPAC QPAC QRC0610T30 QRC0620T30 QRC0630T30 QRC0640T30VI-273-EZ VI-273-IU VI-273-IV VI-273-IW VI-273-IX VI-273-IY VI-273-IZ　　目前,功率半导体器件IGBT已经成为中大功率UPS采用的主流产品。高效SPWM逆变器商业化运作已经成功。在各种UPS拓扑中,带输出变压器的双变换UPS处于前沿。拓扑结构如图1所示。网络结构编辑VI-JW1-IZ VI-JW2-CW VI-JW2-CX VI-JW2-CY VI-JW2-CZ VI-JW2-EW VI-JW2-EXVI-271-IU VI-271-IV VI-271-IW VI-271-IX VI-271-IY VI-271-IZ VI-272-CUVI-23V-IU VI-23V-IV VI-23V-IW VI-23V-IX VI-23V-IY VI-23V-IZ VI-23W-CUVI-BN1-IV VI-BN1-IW VI-BN2-CU VI-BN2-CV VI-BN2-CW VI-BN2-EU VI-BN2-EV　　(4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。VI-260-50 VI-260-50 VI-260-CU VI-260-CU VI-260-CU VI-260-CU VI-260-CUVI-211-CZ VI-211-EU VI-211-EV VI-211-EW VI-211-EX VI-211-EY VI-211-EZA50L-#L A50L- A50L- A50L-/L A50L-#S A50L- A50L-#SIRKL56-12 IRKL56-16 IRKL91-12 IRKL91-16 IRKT105-12 IRKT105-16 IRKT136-08SG50Z2 SG600EX21 SG600J21 SG600R21 SG600Z1H SG600Z1U SG700EX11KS625530 KS721KA2 KS824501HB KS8245A1 KSA21K03 KSA24505 KSB1A CD431640B CD431660 CD431660A CD431660B CD431690 CD431690***I-BWV-EV VI-BWV-EW VI-BWV-IU VI-BWV-IV VI-BWV-IW VI-BWW-CU VI-BWW-CVCD611216 CD611216A CD611216B CD611416A CD611416B CD611616 CD611616A　　4.3保护电路的设计　　(2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。70MT160KB 70MT80K 70MT80KB 75G6P43 75J6P43 75L6P43 75Q6P43　　IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。　　1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。VI-B4M-IU VI-B4M-IV VI-B4M-IW VI-B4N-CU VI-B4N-CV VI-B4N-CW VI-B4N-EU　　交流变频调速技术是电气传动的发展方向之一，它具有调速性能优越和节能效果显著两大特点，因此，在国民经济中起着越来越大的作用。就目前情况来看，变频器中较常用的电力电子器件有两大类，一类具有晶闸管导电机理，如：门极可关断晶闸管(GTO)、MOS可控晶闸管(MCT)、MOS可关断晶闸管(MTO)、绝缘门极可关断晶闸管(IGTF)、门极换向晶闸管(GCI)等;另一类具有晶体管导电机理，如：大功率双极型晶体管(GTR)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。MOS—FET、IGBT、GTO的容量、平均开关损耗、开关频率的比较见表1。由表1可知，MOSFET只能用于较小功率(1MW)、中电压等级迈出了“质”的一步。VI-J11-CW VI-J11-CX VI-J11-CY VI-J11-CZ VI-J11-EW VI-J11-EX VI-J11-EYCD420890A，MIG20J806H，APT17F120J
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(不用打字)
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