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进入年底，国内手机新品发布会热度不减。11 月 30 日，vivo X6 和 X6 Plus 正式发布。作为定位 2000 元价位档的国产中高端旗舰产品，大小 vivo X6 把主打更新点押在大运行内存（ RAM ）上。
因为有了 4GB RAM，vivo X6 在运行上可以很「畅快」；
因为有了 4GB RAM，vivo X6 可以实现「效率倍增」的分屏，虽然看上去有点「捉急」；
因为有了 4GB RAM，vivo X6 可以后台同时运行多达 52 个的 App（数据来源：vivo 实验室）；
今年以来，4G RAM 容量渐成 Android 旗舰手机标配。在处理器核心数以及跑分不那么受热捧的当下，RAM 容量大小渐成 Android 手机阵营新的比拼点。伴随多任务处理的加入，iOS 设备也丢弃了「祖传 1G」的名声，加入大 RAM 容量阵营。
八年翻了上十倍，智能手机 RAM 容量狂飙史
回看智能手机 RAM 容量发展史，2007 年登场的初代 iPhone 仅有 128MB，一年之后亮相的首款 Android 手机 HTC G1 也只有 192MB。2012 年秋天，iPhone 5 以 1GB RAM 杀入手机市场，而更早登场的三星 Note 2 就已配备 2GB RAM。此后三年，iPhone 一直保留着「祖传 1G」的名声，直到 iPhone 6s 的 2GB RAM。
与 iPhone 的保守路线形成鲜明反差，Android 手机在迎来 1GB RAM 时代后就开始了急速狂奔之路。三星 Note 2 是 2GB RAM，一年之后与 iPhone 5s （1GB RAM）同期登场的三星 Note 3 就飙升至 3GB RAM。进入 2015 年，Android 阵营开始进入 4GB RAM 大时代。
八年时间，智能手机的 RAM 容量就翻了上十倍，这与 PC 设备的发展初期颇为相似。众所周知，电脑/手机中的所有程序运行都是在 RAM （Random-Access Memory，随机存取存储器）中进行的，其读写速度和容量大小对手机的性能表现起着关键作用。一般来说，RAM 容量越大越好，尤其是对 Android 手机而言。智能手机在最近几年经历了存储内存（ROM）、CPU 工艺以及显示屏分辨率等技术革新，这些新技术的应用都有赖于 RAM 容量的增加。智能手机要实现更多的功能和更优的体验，就必须要拥有更大的 RAM 容量。
更大的 RAM 带来更大的缓冲空间，而这意味着更加流畅的响应以及更少的操作卡顿。伴随智能手机更加繁重的任务量，系统及 App 对 RAM 容量的占用必然越来越大。
不仅 Android 设备拼 RAM 容量，就连 iOS 设备也加入其中
Android 手机之所以比 iPhone 更占 RAM 容量，很大程度上是因为 Android 是「真后台」（后台进程杀不完），iPhone 是「假后台」。运行在后台的各种各样系统和 App 进程，都会占用 Android 手机的 RAM。当然，Android 手机比 iPhone 更吃运行内存的原因还包括系统运行机制和 UI 优先级的不同、编程语言的差异以及软硬件契合度高低等因素。
时过境迁，为了提升移动设备的使用效率，越来越多的平板以及手机设备开始加入画中画、分屏等多任务操作。移动设备正在由娱乐工具朝着生产力工具进化，就连 iOS 设备引以为傲的「祖传 1G」也因为 iPad 加入多任务操作而被打破。
iPad Air 2 的 2GB RAM 预示了 iOS 9 （将会）加入多任务处理，iPad Pro 的 4GB RAM 则吹响了大屏 iOS 设备兼顾生产力需求的号角。至于 iPhone 6s 配备 2GB RAM 的原因，除了能更好应对 iOS 9 的全局搜索，个人猜测可能也与苹果手机下一步加入多任务处理等效率类操作有关。
大运行内存很重要，但手机片面追求这项指标并不可取
大容量 RAM 很重要，但也不是越大越好。iPhone 对于 RAM 容量的保守态度，有其合理性。苹果设备在硬件层面一直都秉持着「够用」的原则，配置不会出现性能过剩的现象，当然这也不符合其利润最大化的商业诉求。
由于自成一家，苹果没必要像 Android 友商们那样比拼参数。但在 Android 阵营内部，各大厂商对于 RAM 容量的设定就没有那么纯粹了。在满足流畅运行以及多任务操作等用户需求外，不少厂商为了在数字上显得更加好看，继续增加用户可能用不上的「多余」RAM，而不是适可而止。
举例来说，普通用户在使用这款手机时的 RAM 极限占用值只有不到 3GB，而这家厂商为了把友商比下去则配备了 4GB 容量，这多出的 1GB 容量就是闲置 RAM。闲置 RAM 本身并没有什么问题，但手机「超前」配备到 4GB RAM 容量的同时，却没有把处理器等其他「协同」工艺（技术）以及系统等软件版本同步提升的话，就会出现问题。合适的 RAM 容量 + 合适的处理器 + 合适的系统，手机的使用体验才能达到最佳状态。4GB RAM 容量，如果搭档低端处理器或者低端 Android 系统，未必能给用户带来最佳的使用体验。即便搭档的处理器是一样的，也曾曝出三星 Galaxy S6（3GB RAM 容量）的跑分比 Galaxy S6 edge+（4GB RAM 容量）高的消息。
当然，我也听到玩家对于 3GB RAM 手机依然运行卡顿的抱怨，但关键问题是：即便配备 4GB RAM，这款 Android 手机用久之后就一定不会卡、慢吗？一味追求 RAM 容量上的提升，依然解决不了根本。
除了最新登场的 vivo X6（售价 2498 元起），目前发布的 4GB RAM 手机还包括定位高端的三星 Galaxy S6 edge+ 以及 Galaxy Note 5，定位中高端的华为 Mate 8、小米 Note 顶配版 、魅族 PRO 5 、一加手机 2、OPPO R7s 以及 360 奇酷手机尊享版等。
有趣的是，作为全球首款 4GB RAM 容量手机，华硕 Zenfone 2 的起售价只有 1299 元。但大半年过去了，市面上没有再出现把大运行内存作为绝对主打的低端手机产品。由此也能看出，没有其他新工艺、技术和功能的加入，凭借单一的大运行内存卖点也很难在混战中胜出。
4GB RAM 不是终点，更大运行内存手机已在路上
目前来看，4GB RAM 对于手机而言还显得有点「超前」，至少与之搭档的工艺、技术和功能还没有发展到与之匹配的成熟阶段。但智能手机的更大未来依然需要更大的 RAM 容量来作为根基，毕竟手机产业还没有发展到犹如现在 PC 产业的性能过剩阶段。而在可预见的未来，手机还将承担更加多能的角色。
在「32 位系统 + 32 位处理器」的旧时代，手机运行内存的极限容量仅为 3GB。随着 64 位 Android 系统以及 64 位处理器的出现，4GB 运行内存成为新的起点。按照目前 20nm 级别制造工艺以及 LP DDR4 内存技术，Android 手机在未来一到两年实现 5GB 甚至 6GB RAM 容量的目标并不算难。
就在最近，一款运行内存高达 8GB 容量的「桌面级性能」手机登陆 Indiegogo 进行众筹。
这款名为 SyncPhone 的手机，预装桌面版的 Windows 10 系统，而非微软手机搭载的 Windows 10 Mobile。为了更好匹配完整版的 Win 10 系统，高配版 SyncPhone 的 RAM 容量达到了 8GB。当然，SyncPhone 并不是第一个将完整版 Windows 系统概念带到移动平台上的手机，之前已经有 Ubuntu Edge 这种类似产品。SyncPhone Pro 的处理器为 Intel Atom x7-Z8700，最低众筹价则为 499 美元。
对于绝大多数移动设备厂商而言，在可预见的未来，手机依然会以搭载移动操作系统，而非桌面操作系统为主。对于 SyncPhone 这样的把电脑直接塞进手机的做法，依然难成气候。
在移动设备奔向更大运行内存的征程上，愿厂商不要舍本逐末：相较于 RAM 的容量大小，普通用户更在意大容量 RAM 所能带来的在功能及体验上的更好表现。如果智能手机在 RAM 容量提升的同时，也能在与处理器、操作系统等共同奠基的用户体验上更上一层楼，何乐而不为？（图片来源：The Verge、Eveboo、Indiegogo）
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一加手机2 4g内存，剩余652m表示不卡
表示 要看屏幕分辨率的。。。1080P的用3GRAM 我觉得比较够 和爽。。但是用2GRAM的话 就会感觉程序开多了 切换会卡 或者后台自动关。
我更在乎的是现在的APP越来越占运存了，一个微信就要300M，一个UC也占300M。。。。
RAM的频率也很重要！
不太理解，说的这么牛逼，用起来感觉没差
引用自 s天威 的评论:
Android机运行内存越大，系统占用越多。例如从2GB到3GB，多出的可用运存不是1GB，而是要减去系统占用的比例 ...
系统占用内存不变大，运存会大的这么快吗？
我的一加2 高配，4g运存也不流畅。
也不够用，差不多只剩下800运存。
运存越大，系统就越放肆~
Android机运行内存越大，系统占用越多。例如从2GB到3GB，多出的可用运存不是1GB，而是要减去系统占用的比例。这跟PC加内存条的效果完全不一样。请问这是为什么？
用起来3G 内存跟 2G内存差别不大是什么原因？就是优化不好吗
文章前半好?嗦
3G内存够了吧？有什么软件需求这么高的？据我所知大内存会很耗电，如果让我选我还是想要电量耐用些，毕竟现在体验都不错了，盲目追求大内存真是然并卵。
国内只拼硬件，国人也只看硬件。
呵呵~~~3g足够了吧
3G内存在美腿7上足够用了
有错别字。小编的鸡腿没了！！编程语言还是编程语音？
已改，多谢~中午该喝粥了。。。
引用自 么啊么 的评论:
假不假我不知道，但是这么下去，10年之后还有主机么
这个，或许还真不好说。。。可能换了个样子吧~
引用自 小珠子 的评论:
安卓上4g的RAM有必要。iPhone上至少2g内存，1g确实不够用了
在用 iOS 9.2 测试版了，只能说在操作上更加流畅（还不是很流畅）了，估计 iOS 9.X 最后一个版本应该是 iPhone 6 上最「顺滑」的 iOS 9 版本喽~
引用自 章鱼18号 的评论:
天朝特色，各种自启全家桶
这个还真没想到啊~
引用自 lnsc1016 的评论:
16年下半年是不是该上5G ram了
也可能上半年吧~
引用自 回首蓦然 的评论:
引用自 fireleon 的评论:
没有优化 堆叠硬件有个p用
没有优化 堆叠硬件有个p用
原本以为是一个技术贴，看了半天只是把别人的东西总结在了一起而已。
没什么卵用，还不是照样卡的一逼。与其相反设法的做大RAM，还不如限制RAM，逼他们优化APP。moto x style 3G的RAM也不算流畅...
我觉得现在的app越做功能越大占用运行内存也越来越多&&ram还是有必要顺应提升的
然而并没有什么乱用
安卓说rom呵呵哒
无论怎么样，4G运存是一定比3G运存好的。
胡说八道，同样价格其他配置类似当然内存越大越好，什么叫多余用不到的内存？内存多少有用这事用户自己说了算，有的人用的多有的人少，因人而异的事情还能定出个“多余用不到”的标准出来？
普通用户谁整天给你在那边跑分？现在计算能力多数情况下都是过剩的，不玩个游戏平时刷刷网页大内存不要太爽。
RAM多也不好 贴吧就是例子 没限制 再者Android内存溢出 app没加管制 再大的ram也是然并卵
都是被 android 那群山寨货炒作起来的。
3g其实够了
16年下半年是不是该上5G ram了
天朝特色，各种自启全家桶
幸好手机和计算机的处理芯片不是一个量级的，要不然天河这个最快超算计算机的名号得让人了
表示已经刷了安卓6.0的HTC M8 。2G RAM 绝对比那逼的4G RAM顺滑！
华硕 Zenfone 2& &路过~~`~还是依然经常爆内存
所以说光RAM做大也没用 还是得优化 不然给你8GB RAM都照样爆
节哀。。。
安卓上4g的RAM有必要。iPhone上至少2g内存，1g确实不够用了
1080P上3G够了。。2K的话 我觉得要上4G... 更不要说4K了。。
我觉得还好
iPhone 6 用上 iOS 9，顺滑感成为「奢望」~
假不假我不知道，但是这么下去，10年之后还有主机么
安卓后台程序服务实在是多，有的***了上百个app开机就启动几十个…在打开到前台，放到后台这样来回切想不杀后台确实需要大ram,但是应该也有个限度
安卓上4g的RAM有必要。iPhone上至少2g内存，1g确实不够用了
厂家优化内存占用 减少后台服务才是要点啊 一个劲往上加这不胡来么
三星7420+ufs2.0+4G运存应该搭配得比较靠谱吧。
iPhone假后台
多大的容量都能给你消耗完毕……
各个硬件齐头并进方是王道，你给十年前的电脑装16G的内存还是卡。
vivox6配备的4g ram加6752
反正我16G运存的的rmbp& &被不知什么玩意吃了11G
类unix系统都是有多少用多少的
都是木桶效应.什么是短板就加强什么...不求盲目的加,但有些必要的还是要加的...iphone6当初是2G RAM就不会那么多经常重载了...库克这个抠门汉...
Stay hungry. Stay foolish.
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一种提高RAM成品率的电路设计方法
作者单位：
湖南师范大学数学与计算机学院,湖南,长沙,410081
母体文献：
第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)论文集
会议名称：
第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)
会议时间：
会议地点：
主办单位：
中国计算机学会
在线出版日期：
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万方数据电子出版社ARM学习笔记关于一些存储器的解释
1. NandFlash和NorFlash
Flash存储芯片，俗称闪存，因其具有非易失性、可擦除性、可重复编程及高密度、低功耗等特点，广泛地应用于手机、数码相机、笔记本电脑等产品。
根据制造技术的不同，可将Flash存储芯片分为两类：NorFlash和NandFlash。NorFlash的传输效率很高，但写入和擦除速度较慢；相比之下，NandFlash具有容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等优点，这些优点使得NandFlash更适合嵌入式系统的大容量数据存储使用。
从NorFlash读取数据的方式与从RAM读取数据相近，有分离的地址线和数据线，只要提供数据的地址，数据总线就可以正确地给出数据。基于以上原因，多数处理器可以将NorFlash作为XIP（Execute
Place，原地执行）内存使用，这意味着存储在NorFlash上的程序不需要复制到RAM中就可以直接执行。虽然从NorFlash读取数据很方便并且速度快，但与与NandFlash相比，NorFlash的写入速度会慢很多。
NandFlash的存取方式类似于硬盘，数据的存取以固定大小的区域进行，这些区域成为页，一般来说也的尺寸为512，字节。另外各个页之间会有一些额外的空间用作存储检错或纠错的校验和。处理器不能直接对NandFlash进行数据的存取操作，必须通过NandFlash控制器进行。
向Flash中写入数据前必须将原有的内容擦除，擦除操作只能以块为单位进行，每个块由几个页构成。一个块的擦除次数是有限制的，通常称为Flash的擦除寿命。
NandFlash在嵌入式中的地位与PC机上的硬盘类似，用于保存系统运行所必需的操作系统、应用程序、用户数据、运行过程中产生的各类数据。NandFlash中的数据在掉电之后仍可永久保存。
一般而言，NorFlash用于存储程序，NandFlash用于存储数据。
2. DataFlash
Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进行读写；与并行Flash存储器相比，所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠，所以串行Flash存储器越来越多地用在各类电子产品和工业测控系统中。
DataFlash是美国Atmel公司新推出的大容量串行Flash存储器产品，采用NOR技术制造，可用于存储数据或程序代码，其产品型号为AT45DBxxxx。
同步动态随机存储器，是有一个同步接口的动态随机存取内存（dynamic random access
memory，简称DRAM）。
4.ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别
& &ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only
Memory的缩写，RAM是Random Access
Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
& RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic
RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
& DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR
RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate
RAM）也称作DDR
SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus
DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR
RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
&ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，
就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打***，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通话记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
& 目前Flash主要有两种NOR Flash和NAND Flash。NOR
Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR
FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND
Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND
Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还作上了一块小的NOR
Flash来运行启动代码。
一般小容量的用NOR
Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND
FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH
主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND
Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
& SRAM是Static Random Access
Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。
然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash
Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
& SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous
DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
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