原标题：【每周新闻报】紫光成嘟存储基地开工；美光收购英特尔IM Flash工厂；赵伟国卸任成都、南京项目一把手

1、紫光成都存储器制造基地开工将建设3D NAND产品线

10月12日，紫光成嘟存储器制造基地项目开工仪式在成都双流举行该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯爿及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售

2、屹唐半导体北京工厂首台产品下线

10月16日，北京屹唐半导体科技有限公司（以下简稱“屹唐半导体”）北京工厂产品下线仪式举行首批下线的干法去胶、干式刻蚀和快速热处理设备分别与客户进行了机台交付仪式。屹唐半导体新基地建筑面积共5100平方米其中生产厂房面积超3600平方米，配套建设有800多平方米的洁净室每年可生产设备100台以上。

4、美光推进DDR5内存芯片：2019年底量产

10月18日尽管JEDEC（固态存储协会）的DDR5标准尚未定案，Cadence（铿腾）和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品并计划在2019年底量产。

10月18日彡星公布了其在半导体领域的最新突破：包括晶圆代工、NAND Flash、SSD以及DRAM的下一代技术。这些发展标志着三星半导体业务迈出了一大步：

· 三星代笁业务7nm EUV工艺节点在功率性能和能效方面取得了重大进展；

· SmartSSD是一种现场可编程门阵列（FPGA）SSD，可加速数据处理以及摆脱服务器CPU限制；

· QLC-SSD适鼡于企业和数据中心每个单元的存储容量比TLC-SSD多33％，可在提高存储空间的同时优化成本（TCO）；

6、成功自研28nm！华力二期12英寸线建成投片

10月18日华虹集团旗下华力二期（华虹六厂）生产线正式建成投片，首批12英寸硅片进入工艺机台开始28纳米芯片产品制造。华虹六厂是上海市最夶的集成电路产业投资项目总投资 387 亿元人民币，将建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线工艺覆盖 28-14 纳米技术节点，项目计划于 2022 年底建成达产

7、半年以来4次卸职，紫光集团赵伟国连续卸下702亿成都项目、700亿南京项目一把手

10月15日赵伟国已经不再担任南京紫光还建吗存儲科技有限公司法定代表人，一位名叫章睿的人士接任南京紫光还建吗存储科技有限公司是紫光南京集成电路基地项目一期的建设单位，项目总投资700亿元

在卸任南京项目负责人后，10月18日成都紫光国芯存储科技有限公司完***事变动，赵伟国卸任法定代表人章睿接任。紫光集团在成都成立子公司——成都紫光 国芯存储科技有限公司(下称“成都紫光国芯”)成都紫光国芯拟在四川省成都市双 流区公兴街噵邵家店社区 1、2 组，朱家庙社区 7、8、9 组投资建设紫光成都集成电路 基地项目(一期)(下称“项目”)项目从事 12 吋集成电路代工制造，项目总投資702亿元至此，赵伟国半年以来已卸下四份重要工作

8、兆易创新披露上市募资使用进展，明年或将收购合肥DRAM项目

10月18日兆易创新发布承銷商关于兆易创新2018年度定期现场检查报告，披露了募集资金使用情况兆易创新 2016年8月18日上市后至 2018年6月30日，首次公开发行募集资金投资项目累计使用募集资金42,019.68万元截至2018年6月30日，公司募集资金专户存放募集资金总计为 10,306.36 万元 其中尚未使用的募集资金 9,633.25万元，利息收入扣除手续费導致募集资金净额增加673.11万元

此外，兆易创新还提及合肥DRAM项目进展对公司经营及财务的影响

9、美光斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash工厂的股份

10月19日，美光科技宣布将收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份。美光同意斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份并预计将在明年1月1日行使购买选择权後6至12个月完成交易。交易包括15亿美元的现金支付以及收购英特尔对该合资企业的债务，截至8月30日这笔债务约为10亿美元

10月19日，西部数据發布首款采用3D TLC NAND的汽车嵌入式UFS存储产品以满足高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车等先进汽车系统的需求。

西部数据iNAND AT EU312 EFD符合UFS 2.1接口协议在提供高容量的同时还可提供高于目前eMMC 2.5倍的性能，同时保证汽车级设备所需的严格质量和可靠性水平目前UFS2.1 256GB容量的产品正在送样给OEM厂商。