随着器件小型化和高集成度的快速发展微电子工业的芯片制造工艺逐渐向10 nm 甚至单纳米尺度逼近时，传统的电子束曝光(electron beam lithographyEBL)技术和极紫外光刻(extreme ultraviolet lithography，EUV)技术已难以满足未来技术的發展需求亟需发展一种能在纳米尺度实现高分辨率、高稳定度、高重复性和大吞吐量且价格适宜的曝光技术。

原子力显微术作为一种具囿纳米级甚至原子级空间分辨率的表面探测表征技术其在微纳加工领域的应用为单纳米尺度的器件制备提供了新的思路和契机，具有广闊的应用前景[10]在过去的几十年中，基于AFM平台发展出的微纳加工技术得到更广泛的应用尤其是局域热蒸发刻蚀技术和低能场发射电子的刻蚀技术(如图4 所示)，可以在大气环境下成功实现纳米尺度的图案加工并可及时对图案进行原位形貌表征，设备简单且使用方便AFM局域热蒸发刻蚀技术已经在高聚物(PPA)分子表面成功实现了线宽达8 nm 的三维图形刻蚀，且硅基上的转移图案线宽可达20 nm以下[11]在真空环境下，利用模板在表面直接沉积材料实现微纳米图案加工的模板加工技术避免了涂胶、除胶以及暴露大气等污染过程。通过将模板集成到AFM 微悬臂上可以實现基于AFM的纳米刻蚀技术，可以在特定样品区域进行微纳加工图案化如制备电极等，这将在环境敏感材料的物性研究等领域具有重要应鼡前景